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2SA1611

更新时间： 2024-01-19 09:00:03

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1页	72K
描述
High DC Current Gain. High Voltage.Collector-base voltage VCBO -60 V

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2SA1611 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.25	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1611 数据手册

Product specification

2SA1611

Features

High DC Current Gain.

High Voltage.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-60

Unit

-50

-5

-100

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

150

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain *

Symbol

Testconditons

V^CB= -60V, I^E=0

Min

Typ

200

Max

-0.1

600

Unit

ìA

I^CBO

I^EBO

h^FE

V^EB= -5V, I^C=0

ìA

V^CE= -6V , I^C= -1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Gain bandwidth product

Output capacitance

V^CE(sat)I^C= -100mA , I^B= -10mA

-0.18 -0.3

V^BE

f^T

V^CE= -6V , I^C= 1mA

V^CE= -6V , I^E= 10mA

-0.58 -0.62 -0.68

180

4.5

MHz

C^ob

V^CB= -10V , I^E= 0 , f = 1.0MHz

* Pulse test: tp

300 ìs; d

0.02.

hFE Classification

Marking

hFE

90 180

135 270

200 400

300 600

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1611_15	WINNERJOIN	获取价格	PNP TRANSISTOR
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2SA1611M4	ETC	获取价格	BJT
2SA1611-M4	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA1611M4-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
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2SA1611M4-T1-A	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M
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