是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.12 | 最大集电极电流 (IC): | 0.05 A |
基于收集器的最大容量: | 3 pF | 集电极-发射极最大电压: | 15 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 75 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 1800 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1610Y34-T2-A | RENESAS |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, SUPER MINIMOLD, S |
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2SA1611 | TYSEMI |
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High DC Current Gain. High Voltage.Collector-base voltage VCBO -60 V |
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2SA1611 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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2SA1611 | NEC |
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AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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2SA1611 | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxia |
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2SA1611 | SECOS |
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PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
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2SA1611 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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2SA1611 | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors |
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2SA1611 | CJ |
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SOT-323 |
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2SA1611_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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