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Datasheet > 2SA1608Y12-T1

2SA1608Y12-T1 PDF预览

2SA1608Y12-T1

更新时间： 2024-01-15 13:24:13

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	306K
描述
500mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SA1608Y12-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1608Y12-T1 数据手册

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与2SA1608Y12-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1608Y12-T1-A	RENESAS	500mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
2SA1608Y12-T1-AT	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-23VAR	获取价格
2SA1608Y12-T2	RENESAS	500mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
2SA1608Y12-T2-A	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M	获取价格
2SA1608Y12-T2-AT	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-23VAR	获取价格
2SA1608Y13	NEC	BJT	获取价格

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