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2SA1586-Y(TE85L,F) PDF预览

2SA1586-Y(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-19 14:28:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 196K
描述
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R

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2SA1586-Y(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.52其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：7 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.1 W
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SA1586-Y(TE85L,F) 数据手册

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2SA1586  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1586  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
High voltage and high current: V  
= −50 V, I = −150 mA (max)  
C
CEO  
•
Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/ h  
(I = −2 mA)  
C
FE  
FE  
C
FE  
= 0.95 (typ.)  
•
•
•
•
High h  
h
= 70~400  
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC4116  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
j
125  
JEDEC  
JEITA  
―
T
stg  
−55~125  
SC-70  
2-2E1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
⎯
400  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −100 mA, I = −10 mA  
⎯
80  
⎯
−0.1  
⎯
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ  
Note: h classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与2SA1586-Y(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1586-Y,LF TOSHIBA

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 		TRANS PNP 50V 0.15A USM
2SA1586-YLF(T TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1586YTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1586YTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1587 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1587 KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial
2SA1587 TYSEMI

获取价格

 		High voltage VCEO=-120V High hFE hFE=200 to 700 Small package
2SA1587-(T5LFH) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1587,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1587_07 TOSHIBA

获取价格

 		Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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