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2SA1586-Y(T5LPSE,F

更新时间： 2024-11-19 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 281K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SA1586-Y(T5LPSE,F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA1586-Y(T5LPSE,F 数据手册

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2SA1586  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1586  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
High voltage and high current: V  
= −50 V, I = −150 mA (max)  
C
CEO  
Excellent h  
FE  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/ h (I = −2 mA)  
FE C  
FE  
= 0.95 (typ.)  
= 70 to 400  
C
•
•
•
•
High h : h  
FE FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC4116  
Small package  
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
JEDEC  
JEITA  
―
T
125  
j
T
−55 to 125  
SC-70  
2-2E1A  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
―
―
―
―
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
―
400  
CE  
C
(Note)  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −100 mA, I = −10 mA  
―
80  
―
−0.1  
―
−0.3  
―
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
―
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ  
Note: h classification O (O) : 70 to 140, Y (Y) : 120 to 240, GR (G) : 200 to 400  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
Start of commercial production  
1987-01  
1
2015-01-09  
123

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与2SA1586-Y(T5LPSE,F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1586-Y(T5LYZS,F TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1586-Y(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R
2SA1586-Y,LF TOSHIBA

获取价格

 		TRANS PNP 50V 0.15A USM
2SA1586-YLF(T TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1586YTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1586YTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1587 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1587 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial
2SA1587 TYSEMI

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 		High voltage VCEO=-120V High hFE hFE=200 to 700 Small package
2SA1587-(T5LFH) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor

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