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2SA1586-O(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-19 14:48:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 200K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-323

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2SA1586-O(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
基于收集器的最大容量：7 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.1 W最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

2SA1586-O(TE85L,F) 数据手册

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2SA1586  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1586  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
High voltage and high current: V  
= −50 V, I = −150 mA (max)  
C
CEO  
•
Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/ h  
(I = −2 mA)  
C
FE  
FE  
C
FE  
= 0.95 (typ.)  
•
•
•
•
High h  
h
= 70~400  
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC4116  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
j
125  
JEDEC  
JEITA  
―
T
stg  
−55~125  
SC-70  
2-2E1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
⎯
400  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −100 mA, I = −10 mA  
⎯
80  
⎯
−0.1  
⎯
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ  
Note: h classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与2SA1586-O(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1586OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1586OTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1586SU-GR,LF(D TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1586W BL Galaxy Electrical

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SA1586Y ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-323
2SA1586-Y KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA1586-Y(5LASTI,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1586-Y(T5L,PP,F TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1586-Y(T5LALPSF TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1586-Y(T5LFT) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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