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2SA1585E

更新时间： 2024-01-18 18:51:50
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ 晶体整流二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 224K
描述
TRANSISTOR

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2SA1585E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-72
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.68
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：240 MHz
Base Number Matches：1

2SA1585E 数据手册

 浏览型号2SA1585E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1585E的Datasheet PDF文件第3页 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors  
C
WBFBP-03A  
2SA1585E TRANSISTOR  
(1.6×1.6×0.5)  
unit: mm  
TOP  
DESCRIPTION  
PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor  
B
E
C
1. BASE  
FEATURES  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.2V (Typ.)(IC/IB =-2A/-0.1A)  
BACK  
APPLICATION  
E
B
Excellent current gain characteristics  
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,  
DVD-ROM, Note book PC, etc.)  
MARKING:AEQ, AER, AES  
C
AEQ  
B E  
MAXIMUM RATINGS TA=25℃ unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-20  
Units  
Parameter  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-20  
-6  
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
-2  
PC  
150  
150  
-55-150  
mW  
Tj  
℃
℃
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
MIN  
-20  
-20  
-6  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= -50µA , IE=0  
IC= -1mA , IB=0  
IE=- 50µA, IC=0  
VCB=-20V , IE=0  
VEB= -5V , IC=0  
VCE=-2 V, IC= -0.1A  
IC= -2A, IB=-0.1A  
V
V
-0.1  
-0.1  
560  
-0.5  
µA  
µA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
DC current gain  
hFE  
120  
Collector-emitter saturation voltage  
VCEsat  
V
V
CE=-2V, IC=-0.5A  
f=100MHz  
CB=-10V,IE=0,f=1MHz  
Transition frequency  
240  
35  
MHz  
pF  
fT  
Collector output capacitance  
Cobo  
V
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1585S MCC

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