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2SA1575

更新时间： 2024-02-20 19:31:04

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2页	107K
描述
High fT. High breakdown voltage. Adoption of FBET process.

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2SA1575 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-243
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SA1575 数据手册

Product specification

2SA1575

Features

High f^T..

High breakdown voltage.

Small reverse transfer capacitance and excellent.

High-frequency characteristic.

Adoption of FBET process.

Absolute Maximum Ratings TA=25

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-200

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

-200

-4

-100

Collector current (pulse)

I^CP

-200

500

Collector power dissipation

P^C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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