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2SA1415

更新时间： 2024-01-05 09:54:44

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TYSEMI		/
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3页	470K
描述
Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V)

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技术参数
数据手册

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2SA1415 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.14 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-243
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SA1415 数据手册

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SSMMDDTTyyppee

Product specification

2SA1415

Features

Adoption of FBET Process

High Breakdown Voltage (VCEO = 160V)

Excellent Linearlity of h^FEand Small C^ob

Fast Switching Speed

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-180

Unit

V

-160

V

-5

V

Collector Current

-140

mA

mA

mW

W

Collector Current (Pulse)

I^CP

-200

P^C

500

Collector Power Dissipation

P^{C *}

T^j

1.3

Jumction temperature

150

Storage temperature Range

T^stg

-55 to +150

* Mounted on ceramic board (250 mm²x 0.8 mm)

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

ICBO

Testconditons

Min

100

Typ

Max

-100

-100

400

Unit

nA

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

VCB = -80V , IE = 0

V^EB= -4V , I^C= 0

I^EBO

nA

h^FE

V^CE= -5V , I^C= -10mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Gain-Bandwidth Product

Collector Output Capacitance

VCE(sat) IC = -50mA , IB = -5mA

-0.14 -0.4

V

f^T

V^CE= -10V , I^C= -10mA

150

4

MHz

pF

C^ob

V^CB= -10V , I^E= 0 , f = 1MHz

Turn-On Time

Storage Time

Fall Time

t^on

t^stg

t^f

0.1

1.5

0.1

See Test Circuit.

ìs

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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