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2SA1395M PDF预览

2SA1395M

更新时间： 2024-01-03 02:31:56
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其他 - ETC 晶体晶体管
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6页 135K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186

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2SA1395M 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SA1395M 数据手册

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1395-M NEC Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

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