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2SA1386

更新时间： 2024-10-31 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1386 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.13Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：130 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

2SA1386 数据手册

  
LAP T 2 S A1 3 8 6 /1 3 8 6 A  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3519/A)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Unit  
Symbol  
Conditions  
2SA1386  
2SA1386A  
Unit  
2SA1386 2SA1386A  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
2.0  
9.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
V
–100max  
–160  
–100max  
–180  
–160  
–160  
–180  
–180  
µA  
V
ICBO  
VCB=  
EB=–5V  
–5  
–15  
–4  
IEBO  
–100max  
V
V
µA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
V(BR)CEO  
hFE  
A
IC=–25mA  
CE=–4V, IC=–5A  
–160min  
50min  
–180min  
IB  
V
A
2
130(Tc=25°C)  
150  
VCE(sat)  
fT  
PC  
IC=–5A, IB=–0.5A  
VCE=–12V, IE=2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
W
°C  
°C  
V
MHz  
pF  
–2.0max  
40typ  
3
Tj  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
to  
COB  
Tstg  
–55 +150  
500typ  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
B
C
E
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
ton  
(µs)  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
–40  
4
–10  
–10  
5
–1  
1
0.3typ  
0.7typ  
0.2typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–15  
–15  
–10  
–5  
–3  
–200mA  
–10  
–5  
0
–2  
–1  
–150mA  
–100mA  
–50mA  
IC=–10A  
–5A  
IB=–20mA  
0
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.2  
–0.4  
–0.6  
–0.8  
–1.0  
0
–1  
–2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
300  
200  
3
125˚C  
100  
1
25˚C  
100  
Typ  
0.5  
–30˚C  
50  
20  
–0.02  
10  
–0.02  
0.1  
–0.1  
–0.5 –1  
–5 –10 –15  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.1  
–0.5 –1  
Collector Current IC(A)  
–5 –10 –15  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
130  
100  
–40  
60  
40  
–10  
–5  
–1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.5  
50  
20  
1.2SA1386  
2.2SA1386A  
–0.1  
Without Heatsink  
1
2
3.5  
0
0
0.02  
–0.05  
–3  
–10  
–50  
–100  
–200  
0.1  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
18  
1

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2SA1386 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1386 ALLEGRO

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 Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
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