2SA1386

更新时间： 2024-02-14 20:48:57

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1386 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	MT100, TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1386 数据手册

LAP T 2 S A1 3 8 6 /1 3 8 6 A

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3519/A)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Unit

Symbol

Conditions

2SA1386

2SA1386A

Unit

2SA1386 2SA1386A

±0.2

4.8

±0.4

15.6

±0.1

2.0

9.6

VCBO

VCEO

VEBO

–100max

–160

–100max

–180

–160

–180

µA

I^CBO

V^CB=

EB=–5V

–5

–15

–4

IEBO

–100max

µA

±0.1

ø3.2

V(BR)CEO

hFE

I^C=–25mA

CE=–4V, IC=–5A

–160min

50min

–180min

130(Tc=25°C)

150

VCE(sat)

I^C=–5A, IB=–0.5A

V^CE=–12V, IE=2A

VCB=–10V, f=1MHz

°C

MHz

–2.0max

40typ

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

1.05

0.65

1.4

COB

Tstg

–55 +150

500typ

±0.1

5.45

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

ton

(µs)

VCC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

I^B2

(A)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–40

–10

–1

0.3typ

0.7typ

0.2typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–15

–10

–5

–3

–200mA

–10

–5

–2

–1

–150mA

–100mA

–50mA

IC=–10A

–5A

I^B=–20mA

–1

–2

–3

–4

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–1

–2

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

300

200

125˚C

100

25˚C

100

Typ

0.5

–30˚C

–0.02

0.1

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –15

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5 –1

Collector Current IC(A)

–5 –10 –15

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

130

100

–40

–10

–5

–1

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.5

1.2SA1386

2.2SA1386A

–0.1

Without Heatsink

3.5

0.02

–0.05

–3

–10

–50

–100

–200

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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