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2SA1386

更新时间: 2024-02-21 03:53:17
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SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 174K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA1386 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-3P包装说明:MT100, TO-3P, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2SA1386 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA1386 2SA1386A  
DESCRIPTION  
·With TO-3PN package  
·Complement to type 2SC3519/3519A  
APPLICATIONS  
·Audio and general purpose  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol  
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
-160  
-180  
-160  
-180  
-5  
UNIT  
2SA1386  
2SA1386A  
2SA1386  
2SA1386A  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
VCEO  
Collector-emitter voltage  
Open base  
V
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
V
A
A
W
-15  
IB  
Base current  
-4  
PC  
Tj  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25ꢀ  
130  
150  
Tstg  
-55~150  

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