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2SA1380C

更新时间： 2024-02-01 11:12:45

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	318K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126

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2SA1380C 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1380C 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1380C-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380C-LS	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380C-LT	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380C-RA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380C-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格

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