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2SA1364-E

更新时间： 2022-02-26 11:28:44

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科信 - KEXIN		/
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PNP Transistors

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2SA1364-E 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SA1364

1.70 0.1

Features

High Voltage VCEO = -60V

High Collector Current (IC = -1A)

High Collector Dissipation PC = 500mW

Small Package For Mounting

0.42 0.1

0.46 0.1

Complementary to 2SC3444

1.Base

2.Collector

3.Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-60

V

V

-60

-6

V

Collector Current

-1

-2

A

Peak Collector Current

Collector Power Dissipation

Jumction temperature

I^CM

A

P^C

500

mW

T^j

150

Storage temperature Range

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Ic= -100 μA， I =0

Ic= -2 mA， I =0

= -100μA， I

Min

-60

-60

-6

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

V

V

V

CBO

E

CEO

EBO

B

I

E

C

=0

I

CBO

EBO

V

V

CB= -50 V , I

E

=0

-200

-200

nA

V

I

EB= -4V , IC=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=-500mA, I

B

B

=- 25mA

=- 25mA

-0.11 -0.3

V

C=-500mA, I

-1.2

h

FE

V

V

V

CE= -4V, I

CB= -10V, I

CE= -2V, I = 10mA

C

= -100mA

55

300

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E

= 0,f=1MHz

22

85

pF

f

E

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SA1364-C

55-110

CC

2SA1364-D

90-180

CD

2SA1364-E

150-300

CE

1

www.kexin.com.cn

12 3

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与2SA1364-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1364-T13-1C	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3	获取价格
2SA1364-T13-1D	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3	获取价格
2SA1365	TYSEMI	Low collector to emitter saturation voltage. High collector current.	获取价格
2SA1365	ISAHAYA	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SA1365	KEXIN	Silicon PNP Epitaxia	获取价格
2SA1365_10	ISAHAYA	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格

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