5秒后页面跳转
2SA1363-13-1G PDF预览

2SA1363-13-1G

更新时间: 2024-11-12 20:05:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 驱动开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3 PIN

2SA1363-13-1G 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-62
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.83
其他特性:HIGH CURRENT DRIVER外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):400
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SA1363-13-1G 数据手册

 浏览型号2SA1363-13-1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1363-13-1G的Datasheet PDF文件第3页 

与2SA1363-13-1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1363E ISAHAYA

获取价格

Transistor
2SA1363-E KEXIN

获取价格

PNP Transistors
2SA1363-F KEXIN

获取价格

PNP Transistors
2SA1363-G KEXIN

获取价格

PNP Transistors
2SA1363-T13-1F MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3
2SA1363-T13-1G MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3
2SA1364 KEXIN

获取价格

Low Frequency Power Amplify Applications
2SA1364 ISAHAYA

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SA1364 TYSEMI

获取价格

High Voltage VCEO = -60V High Collector Dissipation PC = 500mW Small Package For Mounting
2SA1364_15 KEXIN

获取价格

PNP Transistors