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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1360_07 | TOSHIBA |
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Audio Frequency Amplifier Applications |
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| 2SA1360_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Amplifier Applications |
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| 2SA1360-126 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1360-126_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1360O | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
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| 2SA1360Y | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Amplifier Applications |
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| 2SA1360-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.05 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Po |
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| 2SA1360-Y(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SA1360-Y(Q) |
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| 2SA1361 | ETC |
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2SA1361 |
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| 2SA1362 | TYSEMI |
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High DC Current Gain Low Saturation Voltage Suitable for Driver Stage of Small Motor |
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