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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1352C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SA1352-CD | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352C-LT | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352C-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352C-SA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352C-YA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SA1352D-CD | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352D-LS | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1352D-LT | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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