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2SA1345

更新时间: 2024-11-17 21:55:35
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三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SA1345 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.89
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz

2SA1345 数据手册

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