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2SA1342

更新时间: 2024-02-20 17:15:25
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三洋 - SANYO 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
SILICON PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FOR SWITCHING APPLICATIONS

2SA1342 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SA1342 数据手册

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