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2SA1302

更新时间： 2024-02-09 22:35:43

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描述
PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)

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2SA1302 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

2SA1302 数据手册

2SA1302

PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR

AUDIO POWER AMPLIFIER

DC TO DC CONVERTER

2-21F1A

High Current Capability

High Power Dissipation

Complementary to 2SC3281

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-200

-6

-15

150

°C

150

-55~150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)

Characterristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector Base Breakdown Voltage

Collector Emitter Breakdown Voltage

Emitter Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

*DC Current Gain

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE1

IC=-10 mA IE=0

IC=-5 mA RBE=∞

IE=-4mA IC=0

VCB=-100V IE=0

VEB=-4V IC=0

VCE=-5V IC=-1A

VCE=-5V IC=-5A

IC=-10A IB=-1A

-200

-6

-0.1

160

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

hFE2

VCE(sat)

-3.0

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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