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2SA1302

更新时间： 2024-01-20 22:32:46

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1302 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

2SA1302 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1302

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SC3281

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 100W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-200

-5

UNIT

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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