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2SA1255

更新时间： 2024-02-21 17:03:43

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	37K
描述
Silicon PNP Triple Diffused Type

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技术参数
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2SA1255 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	7 pF	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SA1255 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon PNP Triple Diffused Type

2SA1255

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High voltage.

Small package.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-200

Unit

-200

-5

-50

Base current

I^B

-20

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

125

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.1

Unit

ìA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

DC current gain

VCB = -200 V, IE = 0

VEB = -5 V, IC = 0

I^EBO

V^(BR)CBOIC = -0.1 mA, IE = 0

V^(BR)CEOIC = -1 mA, IB = 0

-200

h^FE

VCE = -3 V, IC = -10 mA

240

-1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V^{CE (sat)}IC = -10 mA, IB = -1 mA

V^{BE (sat)}IC = -10 mA, IB = -1 mA

-0.2

-0.75 -1.5

100

f^T

C^ob

ton

tstg

VCE = -10 V, IC = -2 mA

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

pulse width = 5ìs,duty cycle

I^B2=-IB1=0.6 Ma

MHz

ìs

Collector output capacitance

Turn-on time

0.3

Storage time

ìs

Fall time

V^CC=-50V,IC=-6mA

0.4

ìs

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

70 140

120 240

www.kexin.com.cn

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