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2SA1252

更新时间： 2024-01-25 12:35:16

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描述
High VEBO. Wide ASO and high durability against breakdown.

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2SA1252 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SA1252 数据手册

Product specification

2SA1252

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High V^EBO.

Wide ASO and high durability against breakdown.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-60

Unit

-50

-15

-150

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^CP

-300

P^C

200

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

125

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Ic^BO

I^EBO

h^FE

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.1

560

Unit

ìA

Collector cutoff current

V^CB= -40V , I^E= 0

V^EB= -10V , I^C= 0

V^CE= -6V , I^C= -1mA

V^CB= -6V , f = 1MHz

Emitter cutoff current

ìA

DC current Gain

Gain bandwidth product

f^T

100

3.5

MHz

Output capacitance

C^ob

Collector-emitter saturation voltage

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

V^CE(sat)I^C= -50mA , I^B= -5mA

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

-0.5

-60

-50

-15

V^(BR)CEO

I^C= -1mA , R^BE=

V^(BR)EBOI^E= -10ìA , I^C= 0

hFE Classification

Marking

hFE

90 180

135 270

200 400

300 600

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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