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2SA1216O

更新时间： 2024-11-18 21:12:31

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无锡固电 - ISC		/
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2页	112K
描述
Transistor

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2SA1216O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SA1216O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1216

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -180V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC2922

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-180

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-17

I_B

-5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

200

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1216P	ISC	获取价格	Transistor
2SA1216Y	ISC	获取价格	Transistor
2SA1217	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1217	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1217	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1217	TOSHIBA	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
2SA1217	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin MT-200
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