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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1213_07 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
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| 2SA1213_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
|
| 2SA1213-G | COMCHIP |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| 2SA1213O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
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| 2SA1213-O | MCC |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistors |
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| 2SA1213-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PI |
|
| 2SA1213O(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SA1213O(TE12L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| 2SA1213-O-T | MCC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1213OTE12L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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