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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SA1201-Y-T
2SA1201-Y-T PDF预览

2SA1201-Y-T

更新时间： 2024-11-20 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 506K
描述
Transistor

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2SA1201-Y-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SA1201-Y-T 数据手册

 浏览型号2SA1201-Y-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1201-Y-T的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SA1201-O  
2SA1201-Y  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Power amplifier applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
PNP Silicon  
Power Transistors  
•
·
·
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
-120  
-120  
-5.0  
-800  
Unit  
V
V
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SOT-89  
A
V
K
B
mA  
mA  
W
IB  
PC  
Base Current  
Collector power dissipation  
-160  
500  
1000(Note 1)  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
R
R
E
C
TSTG  
-55 to +150  
Note 1: Mounted on ceramic substrate (250mm2 x 0.8t)  
D
G
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
J
F
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ.  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IE=-1mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
-120  
-5  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1
2
3
---  
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
IEBO  
---  
ON CHARACTERISTICS  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
80  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
-1.0  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
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ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc) (Note 2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.5Adc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-0.5Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Transition Frequency  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)  
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ꢆ
---  
ꢆ
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fT  
120  
---  
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ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
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ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
30  
 ꢆ  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
Marking  
O
80-160  
DO  
Y
120-240  
DY  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SA1201-Y-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1201YTE12L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201YTE12R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1202 KEXIN

获取价格

 		Power Amplifier Applications
2SA1202 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (POWER, VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1202 NJSEMI

获取价格

 		New Jersey Semi-Conductor Products,
2SA1202 TYSEMI

获取价格

 		Suitable for Driver of 30 to 35 Watts Audio Amplifier Small Flat Package
2SA1202_07 TOSHIBA

获取价格

 		Power Amplifier Applications Voltage Amplifier Applications
2SA1202_09 TOSHIBA

获取价格

 		Power Amplifier Applications Voltage Amplifier Applications
2SA1202_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors

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