2SA1106

更新时间： 2024-09-25 06:18:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1106 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SA1106 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1106

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High frequency

·Complement to type 2SC2581

APPLICATIONS

·Audio power amplifer applications

·DC-DC converters

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-140

-6

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-10

I_B

Base current

-4

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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