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2RI100E-080

更新时间: 2024-10-29 22:06:07
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富士电机 - FUJI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
POWER DIODE MODULE

2RI100E-080 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XUFM-X3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流:2000 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

2RI100E-080 数据手册

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