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2RI100E-060

更新时间: 2024-10-29 22:06:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
POWER DIODE MODULE

2RI100E-060 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XUFM-X3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.82应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

2RI100E-060 数据手册

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