Datasheet > 2PB1219AQ

2PB1219AQ

更新时间： 2024-01-30 14:52:19

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
High current (max. 500 mA) Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2PB1219AQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.47	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2PB1219AQ 数据手册

Product specification

2PB1219A

Features

High current (max. 500 mA)

Low voltage (max. 50 V)

Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Rating

-60

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-50

-5

Collector current

-500

Peak collector current

I^CM

-1

Peak base current

I^BM

-200

Total power dissipation

Storage temperature

P^tot

200

T^stg

T^j

-65 to +150

150

Junction temperature

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient

T^amb

R^{th j-a}

-65 to +150

625

K/W

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

下载PDF

与2PB1219AQ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2PB1219AQT/R	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
2PB1219AQ-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
2PB1219AQ-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
2PB1219AR	NXP	PNP general purpose transistor	获取价格
2PB1219AR	KEXIN	PNP General Purpose Transistor	获取价格
2PB1219AR	TYSEMI	High current (max. 500 mA) Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).	获取价格