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2PB1219

更新时间: 2024-11-05 22:12:27
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
PNP general purpose transistor

2PB1219 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.71
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:25 V
最小直流电流增益 (hFE):85JESD-30 代码:R-PDSO-G
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2PB1219 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
2PB1219A  
PNP general purpose transistor  
1999 Apr 12  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Mar 25  

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