5秒后页面跳转
2P4M PDF预览

2P4M

更新时间: 2024-11-19 21:55:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
6页 399K
描述
2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR

2P4M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:10 V/us
最大直流栅极触发电流:0.2 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:3 mAJEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:4 A
重复峰值关态漏电流最大值:100 µA断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2P4M 数据手册

 浏览型号2P4M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2P4M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2P4M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2P4M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2P4M的Datasheet PDF文件第6页 

2P4M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
C106B MOTOROLA

功能相似

SCRs 4 AMPERES RMS 50 thru 600 VOLTS
ID101 MICROSEMI

功能相似

SCRs .5 Amp, Planar

与2P4M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2P4M-AY NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC
2P4M-AY-AZ NEC

获取价格

暂无描述
2P4M-AZ NEC

获取价格

暂无描述
2P4M-BY NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA
2P4M-BY-AZ NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC
2P4M-CY NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC
2P4M-CY-AZ NEC

获取价格

暂无描述
2P4M-YA NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA
2P4M-YA-AZ NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC
2P4M-YB NEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA