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2NP02

更新时间： 2024-10-15 18:09:43

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描述
Complementary MOSFET

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2NP02 数据手册

SMD Type

MOSFET

Complementary Trench MOSFET

2NP02

(

)

Unit: mm

SOT-23-6

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● N-Channel：VDS=20V I

D=3.4A

RDS(ON) ＜ 30mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) ＜ 36mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) ＜ 52mΩ (VGS = 1.8V)

● P-Channel：V^DS=-20V ID=-2.5A

RDS(ON) ＜ 75mΩ (VGS =-4.5V)

RDS(ON) ＜ 95mΩ (VGS =-2.5V)

RDS(ON) ＜ 115mΩ (VGS =-1.8V)

+0.02

-0.02

0.15

+0.01

-0.01

+0.2

-0.1

1.Gate1

2.Source2 5.Source1

3.Gate2 6.Drain1

4.Drain2

n-channel

p-channel

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

N-Channel P-Channel

Unit

VDS

-20

Gate-Source Voltage

±8

3.4

2.5

-2.5

-2

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-13

1.1

0.7

110

150

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t ≤ 10s

Steady-State

RthJA

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

RthJL

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

stg

www.kexin.com.cn

12 3 4 5 6 7

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