是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.26 |
集电极-发射极最大电压: | 15 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 400 MHz |
最大关闭时间(toff): | 70 ns | 最大开启时间(吨): | 40 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N708 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | |
MPS3646 | MOTOROLA |
功能相似 |
Switching Transistor | |
2N708 | CENTRAL |
功能相似 |
Small Signal Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N709 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSSTOR | |
2N7090 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-257AB | |
2N7091 | SEME-LAB |
获取价格 |
P?CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR | |
2N7091-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpo | |
2N7092 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-257AB | |
2N7092-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpos | |
2N709A | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors | |
2N709ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-18, | |
2N70-C | UTC |
获取价格 |
N-CH | |
2N70-CA | UTC |
获取价格 |
N-CH |