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2N7002KDW

更新时间： 2024-11-21 14:55:31

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
5页	2562K
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SOT-363

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2N7002KDW 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2N7002KDW 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS

2N7002KDW N-channel MOSFET

V_(BR)DSSR_DS(on)MAX

I_D

SOT-363

10V

2.5

340m

3Ω 4.5V

FEATURE

APPLICATION

High density cell design for Low R_DS

（

）

Load Switch for Portable Devices

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

DC/DC Converter

High saturation current capability

ESD protected

Equivalent Circuit

MARKING

72K=Device code

72K

Solid dot1=Pin1 indicator

Solid dot2= Green molding compound device.

MOSFET MAXIMUM RATINGS (T^a= 25°C unless otherwise noted)

Unit

Symbol

Parameter

Value

V^DS

V^GS

Drain-Source voltage

±20

Gate-Source voltage

Drain Current

I^D

340

0.15

P^D

Power Dissipation

T^J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

℃

T^stg

R^θJA

-55-150

833

℃

Thermal Resistance fromJunction to Ambient

℃ /W

www.jscj-elec.com

Rev. - 1.1

12 3 4 5

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