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2N7002A-13

更新时间： 2024-01-03 00:46:09

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
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6页	135K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2N7002A-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks 4 days
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.22 A
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002A-13 数据手册

2N7002A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Product Summary

Features and Benefits

_Dmax



N-Channel MOSFET

V_(BR)DSS

R_DS(ON)max

6Ω @ V_GS= 5V

T_A= +25°C

200mA

Low On-Resistance

60V

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Description

Small Surface Mount Package

This MOSFET has been designed to minimize the on-state

resistance (R_DS(ON)and yet maintain superior switching

ESD Protected Gate, 1.2kV HBM

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

)

performance, making it ideal for high efficiency power management

applications.

Applications

Mechanical Data



Motor Control



Case: SOT23

Power Management Functions

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification

Rating 94V-0



Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Terminals: Finish  Matte Tin annealed over Alloy 42

leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Terminal Connections: See Diagram



Weight: 0.008 grams (approximate)

Drain

SOT23

Gate

ESD PROTECTED TO 1.2kV

Gate

Protection

Diode

Source

Top View

Pin-Out

Top View

Equivalent Circuit

Ordering Information (Note 4)

Part Number

2N7002A-7

2N7002A-13

Case

SOT23

Packaging

3,000/Tape & Reel

10,000/Tape & Reel

Notes:

1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant

2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"

and Lead-free.

3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and

<1000ppm antimony compounds.

4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.

1 of 6

www.diodes.com

July 2013

2N7002A

Document number: DS31360 Rev. 12 - 2

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7002AKS-Q	NEXPERIA	60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction	获取价格
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