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2N6931

更新时间: 2024-11-27 20:15:59
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1页 32K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2N6931 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.46Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6931 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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