是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 300 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 8 | JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6932 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6932 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6932 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6932 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti | |
2N6932 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116 | |
2N6933 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor | |
2N6933 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti | |
2N6933 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6933 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116 | |
2N6934 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |