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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.12 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 40 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 25 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N692MPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N6930 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
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| 2N6931 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti |
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| 2N6931 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6931 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6931 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6931 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116 |
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| 2N6932 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6932 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6932 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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