是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-48 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.1 | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 40 mA |
JEDEC-95代码: | TO-48 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 25 A | 断态重复峰值电压: | 800 V |
重复峰值反向电压: | 800 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN (315) | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N692M | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA | |
2N692MPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA | |
2N6930 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 | |
2N6931 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti | |
2N6931 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6931 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6931 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6931 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116 | |
2N6932 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6932 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |