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2N6836

更新时间： 2024-01-10 06:49:25

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
64页	477K
描述
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 PIN

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技术参数
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2N6836 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
基于收集器的最大容量：	400 pF	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	175 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	最大关闭时间（toff）：	3250 ns
最大开启时间（吨）：	600 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

2N6836 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

15 AMPERE

NPN SILICON

POWER TRANSISTOR

450 VOLTS

175 WATTS

These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in

inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for

line–operated switchmode applications.

•

Switching Regulators

Inverters

Motor Controls

Deflection Circuits

Fast Turn–Off Times

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

30 ns Inductive Fall Time — 75 C (Typ)

50 ns Inductive Crossover Time — 75 C (Typ)

600 ns Inductive Storage Time — 75 C (Typ)

Operating Temperature Range –65 to +200 C

100 C Performance Specified for:

Reverse–Biased SOA with Inductive Loads

Switching Times with Inductive Loads

Saturation Voltages

•

Leakage Currents

MAXIMUM RATINGS (2)

Rating

Symbol

Max

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

450

850

6.0

CEO(sus)

CEV

Collector Current — Continuous

— Peak (1)

Base Current — Continuous

— Peak (1)

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25 C

175

100

1.0

Watts

@ T = 100 C

Derate above 25 C

W/ C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS (2)

Characteristic

Symbol

Max

1.0

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

θJC

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes: 1/8″ from Case for 5.0 Seconds

275

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle

(2) Indicate JEDEC Registered Data.

10%.

Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit

curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.

3–151

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6 7...64

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6836E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 450V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N6837	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
2N6837	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 450V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3	获取价格
2N6838	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30MA I(C) \| SOT-173	获取价格
2N6839	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50MA I(C) \| SOT-173	获取价格
2N683A	CENTRAL	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS	获取价格