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2N6836

更新时间: 2024-01-11 03:13:05
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6836 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
基于收集器的最大容量:400 pF集电极-发射极最大电压:450 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:175 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz最大关闭时间(toff):3250 ns
最大开启时间(吨):600 nsVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

2N6836 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6836  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High voltage ,high speed  
APPLICATIONS  
·Switching regulators  
·Inverters  
·Motor controls  
·Deflection circuits  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
850  
450  
6
UNIT  
V
Open base  
V
Open collector  
V
15  
A
ICM  
Collector current-peak  
Base current  
20  
A
IB  
10  
A
IBM  
Base current-peak  
15  
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
175  
200  
-65~200  
W
Tj  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance junction to case  
1.0  
/W  

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