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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6754 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6754 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6754 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| 2N6754 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 500V 10A |
|
| 2N6755 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V |
|
| 2N6755 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
|
| 2N6756 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N6756 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V |
|
| 2N6756 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6756 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
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