生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.77 |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 500 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 15 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6754 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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2N6754 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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2N6754 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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2N6754 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 500V 10A |
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2N6755 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V |
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2N6755 | NJSEMI |
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HEXFET TRANSISTORS |
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2N6756 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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2N6756 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V |
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2N6756 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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2N6756 | NJSEMI |
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HEXFET TRANSISTORS |
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