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2N6739

更新时间： 2024-01-28 11:17:46

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	188K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2N6739 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2N6739 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N6739

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 350V(Min)

·High Switching Speed

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in high-voltage, high-speed , power switc-

hing in inductive circuit , they are particularly suited for 115

and 220V switchmode applications such as switching regu-

lators, inverters, DC-DC and converter.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CEV

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage-V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

VALUE

550

400

350

UNIT

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

100

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Ttemperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.25 ℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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