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2N65L

更新时间： 2024-06-19 09:35:28

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
11页	1983K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:600V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:2A;Vgs(th)(V):±30;漏源导通电阻:4.2Ω@10V

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2N65L 数据手册

UMW

UMW 2N65

N-道沟功率

MOS 管

●最大额定值（TC=25°C）

TO-220/220F/251T/252/223

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

漏-源电压

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

位单

UNIT

V_DS=650V

V_DS

V_GS

650

Drain-source Voltage

R_DS(ON)=5.5Ω

I_D=2.0A

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

漏极电流

Continuous Drain Current

I_D

2.0*

TC=25℃

漏极电流

Continuous Drain Current

I_D

1.25*

8.0*

TC=100℃

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

TO-220/220F

TO-251T/252

SOT-223

耗散功率

Power Dissipation

P_tot

最高结温

Junction Temperature

150

°C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-150

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy ②

E_AS

120

*Drain current limited by maximum junction temperature

SOT-223

●电特性（Tc=25°C）

●Electronic Characteristics（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

条试测件

TEST CONDITION

值小最

MIN

值型典

TYP

值大最

MAX

位单

UNIT

漏-源击穿电压

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

650

Drain-source Breakdown Voltage

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.6

V/°C

25°C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250µA

2.0

4.0

V_DS=650V,

V_GS=0V, Tj=25°C

µA

漏-源漏电流

I_DSS

Drain-source Leakage Current

V_DS=520V,

V_GS=0V, Tj=125°C

250

µA

跨导

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=1A

③

gfs

1.5

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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