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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.58 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6513E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6514 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6514 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6514 | APITECH |
获取价格 |
Transistor, |
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| 2N6514 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| 2N6514E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6515 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
|
| 2N6515 | MCC |
获取价格 |
High Voltage Transistor 625mW |
|
| 2N6515 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N6515/D | ETC |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
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