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2N6513

更新时间： 2024-01-10 12:48:45

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6513 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.2
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6513 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6510

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For use in switching power supply

applications and other inductive

switching circuits

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

250

200

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_D

T_C=25ꢀ

120

150

-65~200

ꢀ

T_j

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.25

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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