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力特 - LITTELFUSE | 电机 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 503K | |
描述 | ||
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用,例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 1.61 |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 30 mA | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 25 A |
断态重复峰值电压: | 800 V | 重复峰值反向电压: | 800 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N6509TG | LITTELFUSE |
完全替代 |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用,例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: | |
S6020L | LITTELFUSE |
类似代替 |
SCRs (1 A to 70 A) | |
S8010L | LITTELFUSE |
类似代替 |
SCRs (1 A to 70 A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6509-L | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB | |
2N6509-S | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB | |
2N6509T | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 | |
2N6509-T | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB | |
2N6509TG | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 | |
2N6509TG | LITTELFUSE |
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该硅控整流器主要用于半波交流控制应用,例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: | |
2N6509-W | MOTOROLA |
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25A, 800V, SCR, TO-220AB | |
2N650A | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 90V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | |
2N651 | SMSC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PI | |
2N651 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 0.5A |