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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 7.39 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 35 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 30 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 40 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大漏电流： | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 16000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 25 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MCR25NG | LITTELFUSE |
类似代替  |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与调光器；或用于需要半波硅门控 |
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| 2N6509TG | ONSEMI |
类似代替 |
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6509-L | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6509-S | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6509T | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 |
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| 2N6509-T | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6509TG | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 |
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| 2N6509TG | LITTELFUSE |
获取价格 |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| 2N6509-W | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 800V, SCR, TO-220AB |
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| 2N650A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 90V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N651 | SMSC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PI |
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| 2N651 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 0.5A |
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