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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 40 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 40 mA | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 25 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6508-DW | MOTOROLA |
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25A, 600V, SCR, TO-220AB |
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| 2N6508G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 |
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| 2N6508G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| 2N6508-N | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6508-S | MOTOROLA |
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25A, 600V, SCR, TO-220AB |
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| 2N6508T | ROCHESTER |
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25 A, 600 V, SCR, TO-220AB, CASE 221A-07, 4 PIN |
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| 2N6508-T | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6508TG | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier - SCR, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE |
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| 2N6508TG | LITTELFUSE |
获取价格 |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| 2N6508-U | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 600V, SCR, TO-220AB |
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