2N6507G

更新时间： 2024-01-22 16:57:33

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数	文件大小	规格书
7页	64K
描述
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6507G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	30 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	40 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	2 mA	通态非重复峰值电流：	250 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	8000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N6507G 数据手册

2N6504 Series

Preferred Device

Silicon Controlled Rectifiers

Reverse Blocking Thyristors

Designed primarily for half-wave ac control applications, such as

motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.

http://onsemi.com

Features

• Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater

Parameter Uniformity and Stability

SCRs

25 AMPERES RMS

50 thru 800 VOLTS

• Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal

Resistance, High Heat Dissipation and Durability

• Blocking Voltage to 800 Volts

• 300 A Surge Current Capability

• Pb−Free Packages are Available*

MARKING

DIAGRAM

2N650xG

AYWW

TO−220AB

CASE 221A

STYLE 3

= 4, 5, 7, 8 or 9

= Assembly Location

= Year

WW = Work Week

= Pb−Free Device

PIN ASSIGNMENT

Cathode

Anode

Gate

Anode

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 6 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

February, 2006 − Rev. 7

2N6504/D

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

2N6507G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6509G	LITTELFUSE	类似代替	该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。功能与特色:
2N6507TG	ONSEMI	类似代替	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800

与2N6507G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6507-N	MOTOROLA	获取价格	25A, 400V, SCR, TO-220AB
2N6507-S	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6507T	ONSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800
2N6507-T	MOTOROLA	获取价格	25A, 400V, SCR, TO-220AB
2N6507TG	ONSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800
2N6507TG	LITTELFUSE	获取价格	该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。功能与特色:
2N6507-U2	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2
2N6508	ONSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers
2N6508	NJSEMI	获取价格	THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N6508-16	MOTOROLA	获取价格	25A, 600V, SCR, TO-220AB, TO-220, 2 PIN

与2N6507G相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6507G

2N6507G 技术参数

2N6507G 数据手册

2N6507G 替代型号

与2N6507G相关器件

与2N6507G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6507G

2N6507G 技术参数

2N6507G 数据手册

2N6507G 替代型号

与2N6507G相关器件

与2N6507G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？